記憶體去年上漲4成 中國發改委介入調查 恐增今年變數

鉅亨網記者楊伶雯 台北

TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 指出,從每單位容量來看,2017 年 DRAM 價格上漲超過 4 成,同期 NAND 價格上漲幅度也逼近 4 成,目前正是各產品別議價時刻,但去年傳出中國發改委員會約談三星半導體事件,恐增添今年記憶體價格走勢變數,尤其是行動式記憶體恐將首當其衝,預期漲幅將較為收斂。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出,去年在 DRAM 及 NAND 的價格齊揚下,中國智慧型手機業者商無法承受記憶體持續漲價,向中國發改委投訴,希望能抑制後續以三星為首的記憶體廠商價格漲勢,且清查其是否有壟斷的疑慮。

根據 DRAMeXchange 資料,三星去年第 3 季在全球 DRAM 產值的市占率 45.8%,為全球第一;NAND 產值市占率約 37.2%,同樣是產業龍頭;包括 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體產品,目前都是第 1 季各產品別議價時刻,中國發改委員會在去年 12 月 22 日的約談動作,增添記憶體價格變數。

DRAMeXchange 指出,因為中國發改委的介入,對今年第 1 季行動式記憶體價格恐怕造成實質的負面影響。在中國智慧型手機出貨疲弱的大環境影響下,雖然整體 DRAM 仍呈現供貨吃緊的狀態,但以三星為首、率先調整對中國智慧型手機廠商的報價,行動式記憶體的漲幅已較先前收斂,從原先的 5% 的季成長縮小為約 3%。

以 DRAM 市場不同的產品別來看,雖然中國地區 PC 及伺服器廠商同樣對價格上揚感到不滿,但因產品本身的獲利還能夠維持,在不積極增加單機搭載記憶體容量的策略下,還可以有效控管成本,以目前最為缺貨的伺服器記憶體來說,自去年第 3 季度起,隨著北美資料中心建案而供貨吃緊帶動漲幅,整體備貨動能超出預期。

展望今年上半年,因原廠對產能計畫趨於保守,實質新產能開出將落於下半年,導致上半年供給仍然受限,整體市場仍然吃緊;雖然市場傳出中國發改委介入價格制定的消息,但對於價格漲幅並不會有太大的影響,預期在今年上半年伺服器記憶體價格仍然會延續漲價的走勢。

以 NAND Flash 來看,包括 SSD、eMMC/UFS、晶圓 / 顆粒,由於本身市場就普遍預期價格逐漸下滑,且三星在上述應用市場的影響力不如在 DRAM 強勢,所以發改委事件對 NAND 的報價並沒有顯著的影響。

DRAMeXchange 指出,2018 年上半年需求不如預期,但 3D 產能仍不斷開出,市況將轉變成供過於求,導致 NAND Flash 價格持續走跌的機率升高。

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